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（请给出正确答案）
[单选题]
以下关于N型半导体的说法正确的是（）。
A.电子是多数载流子，空穴是少数载流子
B.空穴是多数载流子，电子是少数载流子
C.电荷是多数载流子，空穴是少数载流子
D.空穴是多数载流子，电荷是少数载流子
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A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
A.只存在一种载流子：自由电子
B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体
D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
A.自由电子、空穴、位于晶格上的离子
B.无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质
C.对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质
D.对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质
A.自由电子是多数载流子
B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体
D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.P型半导体和N型半导体材料本身不带电
B.P型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电
C.N型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电
D.N型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带正电
A.本征跃迁是本征吸收的逆过程
B.对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁
C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D.对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁
E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与
F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时，其电阻率P发生变化的现象
B.半导体应变片的灵敏系数极大，因而输出也大，可以不需要放大器直接与记录仪器连接
C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好
D.半导体应变片按照特性分类，可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
A.制作霍尔元件时多采用N型半导体材料
B.减小霍尔元件的厚度，可以提高其灵敏度
C.如果霍尔片两端的电压为E，那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值
D.金属可用于制作霍尔元件
