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[单选题]
关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。
A.自由电子是多数载流子
B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体
D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体
D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
A.自由电子、空穴、位于晶格上的离子
B.无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质
C.对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质
D.对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质
A.只存在一种载流子：自由电子
B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体
D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时，其电阻率P发生变化的现象
B.半导体应变片的灵敏系数极大，因而输出也大，可以不需要放大器直接与记录仪器连接
C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好
D.半导体应变片按照特性分类，可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
A.制作霍尔元件时多采用N型半导体材料
B.减小霍尔元件的厚度，可以提高其灵敏度
C.如果霍尔片两端的电压为E，那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值
D.金属可用于制作霍尔元件
关于血压节律的内在机制，下列说法错误的是()
A、杓型高血压与交感活性的节律呈平行变化
B、反杓型高血压与血浆肾素活性、醛固酮无动态关联性
C、胰岛素在血压动态变化机制中起重要作用
