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[单选题]

关于N型半导体的下列说法,正确的是()。

A.只存在一种载流子:自由电子

B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成

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第1题
关于P、N型半导体内参与导电的介质,下列说法最为合适的是()。

A.自由电子、空穴、位于晶格上的离子

B.无论P型还是N型半导体,自由电子、空穴都是导电介质

C.对于P型半导体,空穴是唯一的导电介质

D.对于N型半导体,空穴是唯一的导电介质

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第2题
下列关于费米能级的说法错误的是()。

A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远

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第3题
下列关于半导体应变片的说法错误的是()。

A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率P发生变化的现象

B.半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接

C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好

D.半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片

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第4题
下列关于霍尔元件的叙述,正确的有()。

A.制作霍尔元件时多采用N型半导体材料

B.减小霍尔元件的厚度,可以提高其灵敏度

C.如果霍尔片两端的电压为E,那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值

D.金属可用于制作霍尔元件

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第5题
材料科学的发展正在影响我们的生活,下列关于材料应用的说法中正确的是()

A.超导体可用来做家用保险丝

B.超导体可用来做电热丝,其优点是发热效率高

C.声控和光控电灯中起自动控制作用的那部分元件主要用半导体材料

D.纳米是一种新型材料

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第6题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第7题
以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。

A.不考虑Si-SiO2界面的结构

B.不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C.金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D.都正确

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第8题
下列关于能带结构的说法中,错误的是()。

A.硅是间接带隙半导体

B.禁带宽度具有负的温度系数

C.室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV

D.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶的电子,其有效质量为负

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第9题
下列选项中关于电火花加工特点的说法正确的是()。

A.可以加工任何硬、脆、韧、软、高熔点的导电材料,此外在一定条件下还可加工半导体材料和非导电材料

B.加工时“无切削力”,有利于小孔、薄壁、窄槽及具有复杂截面零件的加工

C.加工中几乎不受热的影响,因此可以减少热影响层,提高加工后的工件质量

D.由于脉冲参数可调节,因此同一台机床可进行粗、半精、精加工

E.间接使用电能加工,便于实现自动化

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第10题
下列选项关于电火花加工特点的说法中,正确的是()。

A.可以加工任何硬、脆、韧、软、高熔点的导电材料,此外在一定条件下还可以加工半导体材料和非导电材料

B.加工时“无切削刀”,有利于小孔、薄壁、窄槽及具有复杂截面零件的加工

C.加工中几乎不受热的影响,因此可以减少热影响层,提高加工后的工件质量

D.由于脉冲参数可调节,因此同一台机床可进行粗加工、半精加工、精加工巳间接使用电能加工,便于实现自动化

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第11题
下列选项中关于电火花加工特点的说法正确的是()。

A.可以加工任何硬、脆、韧、软、高熔点的导电材料,此外在一定条件下还可以加工半导体材料和非导电材料

B.加工时“无切削力”,有利于小孔、薄壁、窄槽及具有复杂截面零件的加工

C.加工中几乎不受热的影响,因此可以减少热影响层,提高加工后的工件质量

D.由于脉冲参数可调节,因此同一台机床可进行粗加工、半精加工、精加工

E.间接使用电能加工,便于实现自动化

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