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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

下列关于费米能级的说法错误的是()。

A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远

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第1题
关于“陷阱”,以下说法正确的是:()。

A.在费米能级附近时,最有利于陷阱效应

B.在禁带中线附近时,最有利于陷阱效应

C.陷阱的存在缩短了少子的寿命

D.陷阱中心是浅能级杂质

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第2题
计算施主杂质浓度分别为1016cm-3,1018cm-3, 1019cm-3的硅在室温下的费米能级,并假定杂质是全部电离,再用算出的的费米能级核对一下,上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时,取施主能级在导带底下的面的0.05eV。

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第3题
对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为:()。

A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动

B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动

C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动

D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动

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第4题
以下物理参量中,不随半导体掺杂浓度变化的是?()

A.半导体的导带底

B.半导体的电子亲和能

C.半导体的费米能级

D.半导体的功函数

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第5题
处于热平衡状态的半导体,应满足以下条件或符合以下特征:()。

A.无外界作用

B.有确定的载流子浓度

C.有统一的费米能级

D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

E.导带和价带之间没有统一的费米能级

F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子

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第6题
下列关于γ射线说法正确的是()。

A.γ射线是在放射性同位素衰变过程中所产生的处于激发态的核在向低能级的激发态或基态跃迁过程中产生的辐射

B.不同的原子核具有不同的能级结构,因此,不同的放射性元素辐射的γ射线具有不同的能量

C.γ射线是一种波长比X射线更短的射线

D.γ射线是一种波长比X射线更长的射线

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第7题
以npn型双极型晶体管为例,以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是()。

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高

C.俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大

D.考虑发射效率公式,放大系数减小

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第8题
下列关于振动弛豫的说法,正确的是()。

A.通过振动弛豫可使处于不同电子激发态的分子均返回到第一电子激发态的最低振动能级

B.振动弛豫属于辐射跃迁

C.振动弛豫是产生Stokes位移的原因之一

D.振动弛豫有荧光发射

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第9题
以下关于原子能级的描述错误的是()。

A.能量值取决于一定的量子数,因此能级用一定的量子数标记

B.能级取决于原子的电子组态,此外还取决于原子内相互作用的耦合类型

C.原子系统能量量子化的形象化表示

D.能级只取决于原子的电子组态

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第10题
关于原子能级的相关叙述,错误的是()。

A.移走轨道电子所需的最小能量称为结合能

B.电子在各个轨道上具有的能量是连续的

C.结合力与原子序数有关

D.原子能级,以电子伏特表示

E.原子处于能量最低状态时称为基态

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