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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

n沟增强型MOS管在栅压为零时，由于氧化层中正电荷的作用，半导体表面为（)状态，开启电压为（)。

A.积累，正值

B.耗尽，正值

C.积累，负值

D.耗尽，负值

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第1题

n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（)。

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

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第2题

p沟增强型MOS管的开启电压为___，沟道中导电载流子为___。

A.正值，电子

B.正值，空穴

C.负值，电子

D.负值，空穴

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第3题

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第4题

某场效应管的电路符号如图1所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道耗尽型MOS管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第5题

以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是（)。

A.氧化层正电荷控制不当

B.衬底材料掺杂浓度选择不妥

C.源漏材料掺杂浓度选择不妥

D.以上都是形成的原因

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第6题

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第7题

P沟道增强型MOS管工作在截止区的条件(),欲使其能放大信号，则应将其设置在()区。

P沟道增强型MOS管工作在截止区的条件（),欲使其能放大信号，则应将其设置在（)区。

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第8题

结型场效应管可分为（)。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第9题

当衬源零偏时，某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地，源接0.5V，则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是（）。

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

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第10题

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为（)，达到阈值电压后，表面为（)状态。

A.正值，强反型

B.正值，导电沟道消失

C.负值，强反型

D.负值，导电沟道消失

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