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[单选题]
某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。
某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。
A.P沟道增强型MOS管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
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更多“某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。A.P沟道增…”相关的问题
已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示.
(1)利用图解法求解Q点;
(2)利用等效电路法求解Au、Ri和R0.
图P2.21
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET？
已知某与非门的电压传输特性、输入特性、输出特性分别如图2.15(a)、(b)、(e)、(d)曲线所示.试求出它的下列参数:
输出高电平UOH=();
输出低电平UOL=();
输入短路电流IIS=();高电平输入电流IIH=();
关门电平UOFF=();开门电平UON=();
低电平噪声容限UNL=();高电平噪声容限UNH=();
扇出系数NO=();门槛电平UTH=();
最大拉电流IOH=();最大灌电流IOL=()
场效应管参数为Kn1=Kn2=1.2mA/V2，VTN1= VTN2=1.9V，λ1=λ2=0。试求该电路的电压增益。
)所示。电路参数为，Rg1=180千欧，Rg2=60千欧，Rd=10千欧，RL=20千欧，VDD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线，决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当vi=0.5sinwt(V)时求出相应的v0波形和电压增益。
