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[主观题]

测得某增强型场效应管栅源电压为2V,已知Vth=1V,则该管不可能工作在()区。

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第1题
在图7.9.7所示的分压式自偏共源放大电路中,RG=1MΩ,RG1=40kΩ,RG2=10Ω,RD=RS=2
.5Ω,RL=10kΩ,UDD=20V,各电容的容抗均可忽略,已知场效应管的夹断电压Up=2V,饱和漏极电流IDSS=8mA。

(1) 求静态工作点和跨导;

(2) 画出微变等效电路,计算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

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第2题
用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R1,然后将红棒(接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2<R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.
用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R1,然后将红棒(接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2<R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.

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第3题
某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第4题
某场效应管的电路符号如图1所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道耗尽型MOS管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第5题
n沟增强型MOS管在栅压为零时,由于氧化层中正电荷的作用,半导体表面为()状态,开启电压为()。

A.积累,正值

B.耗尽,正值

C.积累,负值

D.耗尽,负值

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第6题
电路参数为VDD=VSS=10V, Rs1=10kn,Rg1=180千欧,Rg2=180千欧,Rg3=150
千欧,Rd2=3千欧。场效应管参数为Kn1=Kn2=1.2mA/V2,VTN1=VTN2=2V,λ12=0,试求(1)静态工作点;(2)电压增益。

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第7题
某药物用高效毛细管电泳分析,测得的迁移时间为5.76分钟,已知毛细管总长度为64cm,毛细管有效长度Ld为55cm,外加电压25kV,该系统的电渗率为3.42x10-4,试计算该药物的电泳淌度。

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第8题
n沟增强型MOS管的源端接地,工作在饱和工作区时,以下说法中错误的是()。

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

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第9题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第10题
在图示电路中,已知Us=2V,Is=1A,A、B两点间的电压UAB为()。

A.B两点间的电压UAB为()。#图片0$#

B.-1V

C.0

D.1V

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第11题
题图E6-32是两级放大电路,前级为场效应管放大电路,后级为晶体管放大电路。已知gm=1.5mS,UBE⌘

题图E6-32是两级放大电路,前级为场效应管放大电路,后级为晶体管放大电路。已知gm=1.5mS,UBE=0.6V,β=80,试求:(1)放大电路的总电压放大倍数;(2)放大电路的输入电阻和输出电阻。

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