题目内容
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[主观题]
四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?
四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?
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四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?
已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示.
(1)利用图解法求解Q点;
(2)利用等效电路法求解Au、Ri和R0.
图P2.21
一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:
(1)它是N沟道还是P沟道的FET?
(2)它的夹断电压uP和饱和漏极电流IDSS各是多少?
成图NP4-13(b)所示模拟相乘器,已知各管工作于饱和区,沟道长度调制效应忽略不计,输出电流i=i1-i2,试证:。
设计三个电压比较器,它们的电压传输特性分别如图P8.15(a)、(b)、(c)所示.要求合理选择电路中各电阻的阻值,限定最大值为50kΩ.
)所示。电路参数为,Rg1=180千欧,Rg2=60千欧,Rd=10千欧,RL=20千欧,VDD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线,决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当vi=0.5sinwt(V)时求出相应的v0波形和电压增益。
已知某与非门的电压传输特性、输入特性、输出特性分别如图2.15(a)、(b)、(e)、(d)曲线所示.试求出它的下列参数:
输出高电平UOH=();
输出低电平UOL=();
输入短路电流IIS=();高电平输入电流IIH=();
关门电平UOFF=();开门电平UON=();
低电平噪声容限UNL=();高电平噪声容限UNH=();
扇出系数NO=();门槛电平UTH=();
最大拉电流IOH=();最大灌电流IOL=()