题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是（)。
A.氧化层正电荷控制不当
B.衬底材料掺杂浓度选择不妥
C.源漏材料掺杂浓度选择不妥
D.以上都是形成的原因
查看答案
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
A.氧化层正电荷控制不当
B.衬底材料掺杂浓度选择不妥
C.源漏材料掺杂浓度选择不妥
D.以上都是形成的原因
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是()。”相关的问题
A.GAC炭床耗尽
B.与炭床接触时间-EBCT不足
C.沟流;反洗时间不足和蒸缸不当
D.原水质量改变
E.氯使用量增加
F.不恰当的药剂添加比例
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
