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[主观题]

P沟道增强型MOS管工作在截止区的条件(),欲使其能放大信号,则应将其设置在()区。

P沟道增强型MOS管工作在截止区的条件(),欲使其能放大信号,则应将其设置在()区。

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第1题
n沟增强型MOS管的源端接地,工作在饱和工作区时,以下说法中错误的是()。

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

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第2题
某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第3题
某场效应管的电路符号如图1所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道耗尽型MOS管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第4题
结型场效应管可分为()。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第5题
p沟增强型MOS管的开启电压为___,沟道中导电载流子为___。

A.正值,电子

B.正值,空穴

C.负值,电子

D.负值,空穴

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第6题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第7题
如果MOS管进入饱和工作区后,继续增加VDS,则沟道夹断点向___移动,在___将出现耗尽区。

A.漏端,漏端

B.漏端,源端

C.源端,漏端

D.源端,源端

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第8题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第9题
p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。

A.正值,强反型

B.正值,导电沟道消失

C.负值,强反型

D.负值,导电沟道消失

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第10题
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|V≇

已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,

Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.

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第11题
p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。()
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