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[单选题]

结型场效应管可分为()。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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B、N沟道和P沟道

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第1题
某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第2题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第3题
某场效应管的电路符号如图1所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道耗尽型MOS管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第4题
双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规(单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。()
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第5题
电路如题图E6-29所示,结型场效应管JFET的IDSS=2mA,Ucs=-2V。 (1)求静态电流IDQ和静态
电路如题图E6-29所示,结型场效应管JFET的IDSS=2mA,Ucs=-2V。 (1)求静态电流IDQ和静态

电路如题图E6-29所示,结型场效应管JFET的IDSS=2mA,Ucs=-2V。

(1)求静态电流IDQ和静态偏压UCSQ;

(2)画出等效交流电路,并求出ri,r0和Au。

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第6题
结型场效应管的文字符号为()。

A.S

B.D

C.V

D.A

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第7题
固体半导体摄像元件CCD是一种()。

A.PN结光电二极管电路

B.PNP型晶体管集成电路

C.MOS型电容阵列

D.NPN型晶体管集成电路

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第8题
当工作在恒流区时,N沟道结型场效应管栅极电位()源极电位,PN结()。

A.大于,正偏

B.小于,反偏

C.等于,零偏压

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第9题
MOS管的栅极与双极型三极管的()相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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第10题
p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。

A.正值,强反型

B.正值,导电沟道消失

C.负值,强反型

D.负值,导电沟道消失

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第11题
以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是()。

A.氧化层正电荷控制不当

B.衬底材料掺杂浓度选择不妥

C.源漏材料掺杂浓度选择不妥

D.以上都是形成的原因

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