题目内容
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[单选题]
当工作在恒流区时,N沟道结型场效应管栅极电位()源极电位,PN结()。
A.大于,正偏
B.小于,反偏
C.等于,零偏压
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A.大于,正偏
B.小于,反偏
C.等于,零偏压
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
A.尽量不在机房内发射机工作时或有静电的场所操作
B.使用电烙铁的功率要合适,且其外壳须接地。如不能接地,焊接时应断电
C.拿新管时,手不要触及场效应管的三个极,特别是栅极
D.更换下来的场效应管重新测量一次
A.电枢电流
B.励磁电流
C.负载电流
D.牵引控制电流