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[判断题]

双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规(单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。()

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第1题
某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第2题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第3题
某场效应管的电路符号如图1所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道耗尽型MOS管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第4题
关于双芯片上芯产品的上芯控制要求,以下哪些说法是正确的()

A.双芯片上芯产品,一次上芯应先加工导电胶粘片的产品

B.一次上芯后,应进行烘烤后,方可进行二次上芯

C.二次上芯产品烘烤后,可以放置在生产现场的货架上,不必要放在氮气柜中

D.双芯片上芯产品,应优先粘MOS芯片

E.DIP双芯片产品,如发现MOS芯片使用DAD系列粘片胶的,应立即停机反馈

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第5题
当衬源零偏时,某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地,源接0.5V,则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是()。

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

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第6题
n沟增强型MOS管在栅压为零时,由于氧化层中正电荷的作用,半导体表面为()状态,开启电压为()。

A.积累,正值

B.耗尽,正值

C.积累,负值

D.耗尽,负值

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第7题
若测量MOS电容的频率较高,电容将达到最小值后再增大至Cox。()
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第8题
图LT4-19所示差分放大器中,已知场效应管的若电容CD对交流呈短路υ1=10mΥ,试求值.

图LT4-19所示差分放大器中,已知场效应管的若电容CD对交流呈短路υ1=10mΥ,试求值.

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第9题
以下各项与理想MOS平带电容无关的是()。

A.温度

B.掺杂浓度

C.氧化层厚度

D.非本征德拜长度

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第10题
固体半导体摄像元件CCD是一种()。

A.PN结光电二极管电路

B.PNP型晶体管集成电路

C.MOS型电容阵列

D.NPN型晶体管集成电路

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第11题
图NP3-11所示为场效应管电感三点式振荡电路,若管子的极间电容和RG不计,试计算振荡频率,并导出
振幅起振条件。图中CG、CD、CS为交流旁路电容和隔直流电容。

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