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[单选题]

以下各项与理想MOS平带电容无关的是()。

A.温度

B.掺杂浓度

C.氧化层厚度

D.非本征德拜长度

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第1题
理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示。()
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第2题
以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。

A.不考虑Si-SiO2界面的结构

B.不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C.金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D.都正确

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第3题
若测量MOS电容的频率较高,电容将达到最小值后再增大至Cox。()
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第4题
有一平行板电容器,极板面积为S, 极板间的距离为d, 极板间的介质为空气。现将一厚度为d/3的金属板插入该电容器的两极板间并保持与极板平行;求:(1)此时该电容器的电容;(2)设该电容器所带的电量q始终保持不变,求插入金属板前后电场能量的变化。

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第5题
以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是()。

A.氧化层正电荷控制不当

B.衬底材料掺杂浓度选择不妥

C.源漏材料掺杂浓度选择不妥

D.以上都是形成的原因

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第6题
双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规(单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。()
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第7题
以下说法中,正确的是()。A.三角带传动效率高于平带传动B.三角带传动能力高于平带传动C.带传动的传

以下说法中,正确的是()。

A.三角带传动效率高于平带传动

B.三角带传动能力高于平带传动

C.带传动的传动比等于主动轮与从动轮直径之比

D.带传动只适用于两轴线在空间相互平行的情况

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第8题
固体半导体摄像元件CCD是一种()。

A.PN结光电二极管电路

B.PNP型晶体管集成电路

C.MOS型电容阵列

D.NPN型晶体管集成电路

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第9题
MOS管沟道电容的平均分布情况取决于工作区域等因素,其中,MOS管处于截止区时,CGC主要来自();MOS处于饱和区时,CGC主要来自()。‌

A.CGCS;CGCD

B.CGCS;CGCB

C.CGCB;CGCS

D.CGCB;CGCD

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第10题
并联电路的总电容与各分电容的关系是()。

A.电容大予分电容

B.总电容等于分电容

C.总电容小于分电容

D.无关

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