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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

MOS管沟道电容的平均分布情况取决于工作区域等因素，其中，MOS管处于截止区时，CGC主要来自（);MOS处于饱和区时，CGC主要来自（)。‌

A.CGCS;CGCD

B.CGCS;CGCB

C.CGCB;CGCS

D.CGCB;CGCD

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第1题

P沟道增强型MOS管工作在截止区的条件(),欲使其能放大信号，则应将其设置在()区。

P沟道增强型MOS管工作在截止区的条件（),欲使其能放大信号，则应将其设置在（)区。

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第2题

n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（)。

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

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第3题

如果MOS管进入饱和工作区后，继续增加VDS，则沟道夹断点向___移动，在___将出现耗尽区。

A.漏端，漏端

B.漏端，源端

C.源端，漏端

D.源端，源端

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第4题

某场效应管的电路符号如图1所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道耗尽型MOS管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第5题

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第6题

结型场效应管可分为（)。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第7题

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第8题

p沟增强型MOS管的开启电压为___，沟道中导电载流子为___。

A.正值，电子

B.正值，空穴

C.负值，电子

D.负值，空穴

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第9题

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为（)，达到阈值电压后，表面为（)状态。

A.正值，强反型

B.正值，导电沟道消失

C.负值，强反型

D.负值，导电沟道消失

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第10题

双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规（单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。（)

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第11题

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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