试在深度负反馈条件下估算
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第1题
在图NP4-31所示的晶体二极管包络检波电路中，已知R1=2kΩ，R2=3kΩ，R3=20kΩ，Ri2=
27kΩ，若要求不产生负峰切割失真，试求输入调幅波vs的最大调幅系数M。
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试求I3。
第3题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
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在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的
沟道长度调制效应忽略不计,试求
值.
第4题
电压串联负反馈放大器交流通路如图LT5-8所示,已知二极管gm=77mS,β=100,Av=500,电路参
数RE1=51Ω,Rf=1.2kΩ,RB=10kΩ,试在满足深度负反馈条件下,求
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第5题
在图LP4-69所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb=50Ω,试求高频
在图LP4-69所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb=50Ω,
试求高频电压传递函数
的表示式.
第6题
在图LT6-15所示电路中,已知VIO≈3mV,IIO=20x10-9A,运放其余参数为理想值,试求Δυ≇
在图LT6-15所示电路中,已知VIO≈3mV,IIO=20x10-9A,运放其余参数为理想值,试求Δυ0值.
第7题
在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并求输出交流电
在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并
求输出交流电阻R0.(补充条件:β=100,|VA|=100VC)
第8题
在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE(on)=0.7 V，ICBO=10-15A，试求温
在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE（on)=0.7 V，ICBO=10-15A，试求温
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度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
第9题
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE（on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室
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温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
