试求I3。
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第1题
在图LP4-69所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb=50Ω,试求高频
在图LP4-69所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb=50Ω,
试求高频电压传递函数
的表示式.
第2题
在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并求输出交流电
在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并
求输出交流电阻R0.(补充条件:β=100,|VA|=100VC)
第3题
在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE(on)=0.7 V，ICBO=10-15A，试求温
在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE（on)=0.7 V，ICBO=10-15A，试求温
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度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
第4题
在图LT6-15所示电路中,已知VIO≈3mV,IIO=20x10-9A,运放其余参数为理想值,试求Δυ≇
在图LT6-15所示电路中,已知VIO≈3mV,IIO=20x10-9A,运放其余参数为理想值,试求Δυ0值.
第6题
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE（on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室
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温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
第7题
在图NP4-36(a)所示的参量放大器中，已知变容管的伏库特性为v=kq2，试求：(1)RL上输出
在图NP4-36（a)所示的参量放大器中，已知变容管的伏库特性为v=kq2，试求：（1)RL上输出
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信号功率Pd;(2)功率增益Pc/PAS值，其中PAS=V2S/4RS;(3)电路成为振荡器的条件。
第8题
在图NP4-31所示的晶体二极管包络检波电路中，已知R1=2kΩ，R2=3kΩ，R3=20kΩ，Ri2=
27kΩ，若要求不产生负峰切割失真，试求输入调幅波vs的最大调幅系数M。
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第9题
图NT1-1(a)所示为变压器耦合甲类功率放大电路，图NT1-1(b)所示为功率管的理想化输出特性曲线。已
图NT1-1（a)所示为变压器耦合甲类功率放大电路，图NT1-1（b)所示为功率管的理想化输出特性曲线。已
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知RL=8Ω,设变压器是理想的,RE上的直流压降可忽略,试运用图解法:(1)Vcc=15V,R'L=50Ω,在负载匹配时,求相应的n、PLmax,ηc;(2)保持(1)中Vcc,Ibm不变,将IcQ增加一倍，求PL值;(3)保持(1)中ICQ,R'L,Ibm不变，将Vcc增加一倍,求PL值;(4)在(3)条件中,将Ibm增加一倍，试分析工作状态。
第10题
在图NPS1-12(a)所示降压-升压型斩波器电路中，已知V1=5V，L1=10mH，CL=100μF，RL
在图NPS1-12（a)所示降压-升压型斩波器电路中，已知V1=5V，L1=10mH，CL=100μF，RL
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=1kΩ，二极管D为D1N3891，开关S的工作频率为20kHz，试求占空比分别为d1=0.2和d2=0.8时，在时间段99.5-100.0ms内的输出电压值。若将L1的值分别改为1000mH和1mH，再记录上述时间段内d1=0.2时的输出电压值。
