题目内容
（请给出正确答案）
度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE…”相关的问题
温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的
沟道长度调制效应忽略不计,试求
值.
在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:
,其中τ=(R2+R3)/R3VT.已知VR=7V,R1=10kΩ,R2=15.7kΩ,R3=1kΩ,R5=10kΩ,试问:当υs由1mV变到10V时,在室温下相应υ0的变化范围是多少？
设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同.
信号功率Pd;(2)功率增益Pc/PAS值，其中PAS=V2S/4RS;(3)电路成为振荡器的条件。
图LP2-18所示为二级放大电路,已知β=100,
(1)试求集电极电流IC1、IC2,集电极电压VC1、VC2;
(2)若RB2改为3kΩ,试指出T1和T2管的工作模式;
(3)若RC2改为5.1kΩ,试求β2(sat)值,并与放大模式下β=100比较.
室温下(T=300K)二极管两端输出的总噪声均方值电压.已知BWn=1kHz,
很小,可忽略不计.
图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的ICBO很小,均可忽略,|VA|→∞,VCC=15V,R=100Ω,并设两管均工作于放大模式.(1)试画出电路的共发射极简化电路模型;
(2)计算电流IC1、IC2、IBC、IC和电压VCE;(3)比较两个单管的β1、β2与复合管β(=IC/IBC)值.
8.24μH，L2=95.68nH，变压器耦合系数k=0.9999;电流源电流IEE=4mA。(1)试分析电路，观察并记录两晶体管集电极输出电压波形，并由T2管集电极输出波形，计算振荡频率。(2)若将IEE改为2mA，再做(1)的分析和记录，并比较结果。(3)试确定最小工作电流IEE值。
体三极管的|VA|均为100V，|VBE(on)|=0.7V，并设T23的输入电阻为9.1MΩ，IC17=550μA，|VCC|=|VEE|=15V，试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av。
(2)利用上题提供的管子参数，试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。
