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[多选题]

根据曝光时所用的光源不同,光刻可分为()。

A.光学光刻法

B.电子束光刻法

C.离子束光刻法

D.X射线光刻法

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根据所用场合的不同,商品编码可分为()和()。

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根据所用的介质不同,选煤可分为干法选煤和()两种。
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第6题
光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统,光刻工艺中最主要的工艺控制项是条宽控制和()。

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第7题
总指数按其编制时所用的指标和计算方法不同,可分为平均指数和()

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第8题
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。

A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶

B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶

C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶

D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

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第9题
光刻技术的原理和印刷的照相制版相似,即在硅基材料上涂覆光刻胶,接着利用分辨率极高的能量束来通过掩模,对光刻胶层进行选择性曝光。经显影后,在光刻胶层上获得和掩模图像相同的极微细的几何图形,再利用刻蚀等方法在工件材料上制造出微型结构。()
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第10题
氩弧焊按所用电极的不同,可分为()和()两种。
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