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[单选题]

某SRAM芯片容量为1M×8位,除电源和接地端外,控制端有E和WE,该芯片的管脚引出线数目是()。

A.20

B.28

C.30

D.32

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第1题
某SRAM芯片,其容量为1024×4位,则地址和数据引脚的数目分别为()。

A.10,4

B.5,4

C.10,8

D.5,8

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第2题
试用一个具有片选使能、输出使能、读写控制容量为8Kx8位的SRAM芯片和必要的逻辑门,设计一个16K×1

试用一个具有片选使能、输出使能、读写控制容量为8Kx8位的SRAM芯片和必要的逻辑门,设计一个16K×16位的存储器系统,试画出其逻辑图

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第3题
SRAM芯片容量512K位(bit),有4条数据线,则它具有的地址线条数为()

A.15

B.16

C.17

D.18

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第4题
存储器芯片容量为64K*8位,则该芯片的地址线有()条。
存储器芯片容量为64K*8位,则该芯片的地址线有()条。

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第5题
用1M×8位的ROM芯片设计4M×16位的ROM存储器,画出逻辑连接图.

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第6题
某SRAM存储芯片的数据线宽度为32bit,地址线宽度为24bit,则该芯片的存储容量为()。

A.16MB

B.32MB

C.64MB

D.128MB

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第7题
已知某64位机主存采用半导体存储器,其地址码为26位,若使用4M×8位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间,并选用内存条结构形式,问: (1)每个内存条内共有多少DRAM芯片? (2)主存共需多少DRAM芯片?
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第8题
PLC经历了五代发展,现在我们使用的为第五代,其特点是为采用了8位和16位的微处理芯片。()
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第9题
下列半导体存储器中,基于FLASH芯片的是()。

A.RAM

B.DRAM

C.SRAM

D.RAMNon-volatile

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第10题
假定用若干个16K×1位的存储器芯片组成一个64K×8位的存储器,芯片内各单元连续编址,则地址BFFOH所在的芯片的最小地址为()。

A.6000H

B.4000H

C.8000H

D.A000H

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第11题
向SRAM芯片某个存储单元写入数据,该芯片控制信号组合是______。

A.片选有效,写入信号有效

B.片选有效,写入信号无效

C.片选无效,写入信号有效

D.片选无效,写入信号无效

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