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[判断题]

NPN型和PNP型晶体管的区别是不但其结构不同,而且它们的工作原理也不同。()

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第1题
固体半导体摄像元件CCD是一种()。

A.PN结光电二极管电路

B.PNP型晶体管集成电路

C.MOS型电容阵列

D.NPN型晶体管集成电路

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第2题
对NPN型和PNP型晶体管的描述错误的是()。

A.由两种不同的材料硅和锗制成的

B.掺入的杂质元素不同

C.P区和N区的位置不同

D.管脚排列方式不同

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第3题
晶体管的类型分成PNP和NPN型。()
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第4题
晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。()
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第5题
图示各种元件中,符号与名称搞错的为()。

A.①为晶闸管,⑤为双向触发二极管

B.②为双向晶闸管,⑥为单结晶体管

C.③、④分别为PNP、NPN型晶体管,⑦为稳压管

D.⑧为光电二极管,⑨为发光二极管

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第6题
Gtr是由三层半导体、两个pn结构成的三端器件,所以可以分为PNP和NPN型两种形式。()
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第7题
结型场效应管可分为()。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第8题
三线接近开关两线接电源,一线输出其分别为NPN型(输出低电平)和PNP型(输出高电平)两种()
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第9题
PNP、NPN型三极管作放大时其发射结均加正向电压。()
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第10题
某PNP型硅三极管各电极对地的电压值为VC=3.2V,VB=2.7V,VE=2V,晶体管工作在()

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.不能确定

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第11题
无论是PNP型还是NPN型三极管,若工作在放大状态时其条件是()。

A.发射结正向偏置,集电结反向偏置

B.发射结集电结都反向偏置

C.发射结集电结都正向偏置

D.视管子类型而定

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