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晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。()

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第1题
晶体管的类型分成PNP和NPN型。()
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第2题
固体半导体摄像元件CCD是一种()。

A.PN结光电二极管电路

B.PNP型晶体管集成电路

C.MOS型电容阵列

D.NPN型晶体管集成电路

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第3题
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av

(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

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第4题
三线接近开关两线接电源,一线输出其分别为NPN型(输出低电平)和PNP型(输出高电平)两种()
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第5题
Gtr是由三层半导体、两个pn结构成的三端器件,所以可以分为PNP和NPN型两种形式。()
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第6题
(1)画出由两个同类型PNP型管组成的复合管。若β1=50,β2=15,试估算这个复合管的电流放大系数β;(2)画出前面管子是NPN型,后面管子是PNP型组成的复合管电路,该复合管等效为PNP型还是NPN型管?

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第7题
无论是PNP型还是NPN型三极管,若工作在放大状态时其条件是()。

A.发射结正向偏置,集电结反向偏置

B.发射结集电结都反向偏置

C.发射结集电结都正向偏置

D.视管子类型而定

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第8题
常用的三极管有哪些?NPN型___、PNP型___。

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第9题
在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中,若输入电压为正弦波,输出波形的底部被削平,则这种失真是()失真。

A.幅度

B.相位

C.截止

D.饱和

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第10题
结型场效应管可分为()。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第11题
PNP型三极管和NPN型三极管在使用时电源()。

A.极性相反

B.极性相同

C.电压相同

D.电压不同

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