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[判断题]

Gtr是由三层半导体、两个pn结构成的三端器件,所以可以分为PNP和NPN型两种形式。()

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第1题
半导体色敏器件是一个双结光电二极管,由两个()不同的PN结构成。
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第2题
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。()
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第3题
二极管由一种PN结、两个引脚、封装构成。()
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第4题
二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示),其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母表示)。()
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第5题
晶闸管是()

A.四层三端器件

B.三层四端器件

C.四个PN结的器件

D.电压驱动型器件

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第6题
晶闸管的管芯是由()型四层半导体材料组成,它具有三个PN结。
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第7题
异质结的超注入现象是指?()

A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度

C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

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第8题
a-Si太阳能电池是由形成()和负极的二个导电层、作为活性部分的半导体层这三层基本结构构成的
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第9题
单相可控硅是具有3个PN结的四层半导体器件。()
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第10题
PN结型功率二极管的基本结构是半导体PN结,具有单向导电性。()
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第11题
半导体PN结具有单向导电型。()
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