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[单选题]

制造二极管、三级管的主要半导体材料是()。

A.锗和硅

B.铝

C.铁

D.镁

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第1题
二极管、三极管是用()材料制成的。

A.半导体

B.导体

C.超导体

D.绝缘体

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第2题
PM值温度计是利用()随温度变化特性测温的。

A.三极管互向电流

B.二级管正向电压

C.二极管正向电流

D.三级管正向电压

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第3题
制造霍尔元件的理想材料是()。

A.金属

B.半导体

C.绝缘体

D.晶体

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第4题
下列描述中哪一条不正确()。

A.金属材料电子浓度很高,RH很大,UH很小

B.任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势,但不是都可以制造霍尔元件

C.半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率,所以霍尔元件多采用N型半导体(多电子)

D.厚度d越小,霍尔灵敏度越大,所以霍尔元件做的较薄,通常近似1微米

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第5题
半导体二极管具有放大作用。()
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第6题
电阻率变化引起的电阻相对变化为主要变化项的半导体材料所做的传感器,叫做应变传感器。()
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第7题
PN结型功率二极管的基本结构是半导体PN结,具有单向导电性。()
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第8题
关于N型半导体的下列说法,正确的是()。

A.只存在一种载流子:自由电子

B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成

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第9题
半导体二极管 名词解释

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第10题
在异质结的界面处引入界面态的主要原因是?()

A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配

B.由于两种材料热膨胀系数不同,在高温下引入界面态

C.化合物半导体构成的异质结中,由于成分元素的互扩散,引入界面态

D.半导体材料的表面吸附

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第11题
金属和半导体接触的整流特性可用于?()

A.制作肖特基势垒二极管

B.制作PN结二极管

C.给半导体器件接出金属引线

D.制作晶体管

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