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[主观题]

电路如图P2.11所示,晶体管β=100,r_{bb<／sub>=100Ω（1)求电路的Q点、A_{u<／sub>、R_{i<／sub>,和R_{0<／sub>;（2)若改用β=200的晶体管,则Q点如何变化？（3)若电容C_{e<／sub>开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？}}}}}

电路如图P2.11所示,晶体管β=100,rbb=100Ω（1)求电路的Q点、Au、Ri,和R0;（

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更多“电路如图P2.11所示,晶体管β=100,rbb=100Ω（…”相关的问题

第1题

电路如图P10.16所示,设,晶体管T的U_BE≈U_D,R₁=1Ω,R₂=2Ω,I_D＞＞I_B.求解负

电路如图P10.16所示,设,晶体管T的U_BE≈U_D,R₁=1Ω,R₂=2Ω,I_D＞＞I_B.求解负载电流I_L与I₀的关系式.

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第2题

测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.（1)电路中引入了哪种反馈？测试晶体管穿透电流的

测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.

(1)电路中引入了哪种反馈？测试晶体管穿透电流的原理是什么？

(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.

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第3题

电路如图2.3所示，运放的输出电流2mA，晶体管T的电流放大系数，确定电阻R的阻值。

电路如图2.3所示，运放的输出电流2mA，晶体管T的电流放大系数，确定电阻R的阻值。

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第4题

一种简单的D锁存器晶体管级电路如图题5.3.2所示，试列出该电路的功能表。这种电路广泛用于CMOS静

态随机存储器(SRAM)中作为基本存储单元。

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第5题

电路如图P1.10所示,晶体管导通时U_BE=0.7V,β=50.试分析V_BB为0V、1V、3V三种情况下T的工

作状态及输出电压u₀的值.

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第6题

一调频电路如图NT5-4所示，试指出它是直接调频电路还是间接调频电路,并标出一、二次线圈的同名端

。已知v_Ω(t)=cos(2πX10³t)(V).试写出调频波的瞬时频率表达式(晶体管的相移可以忽略)。

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第7题

求题图7-4所示电路中的I和U₀。其中晶体管的结压降为0.7V、β=100。

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第8题

在题图E6-4所示电路中，晶体管的β为100，若Ucc=10V，今要求U_cE=5V，I_c=2mA，试求R_C，R

B的阻值。

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第9题

电路如图题5.5.3所示，设β=100，R_si=2千欧，试求：(1)Q点;(2)输入电阻R_i;(3)电压增益A_es

电路如图题5.5.3所示，设β=100，R_si=2千欧，试求：（1)Q点;（2)输入电阻R_i;（3)电压增益A_{es1=v₀₁/v_N和A_es2=v₀₂/v_N;(4)输出电阻R₀₁和R₀₂。}

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第10题

差分放大电路如图LT4-18所示,已知各管β值都为100,V_BE(on)都为0.7V.(1)说明T₃、T₄管

差分放大电路如图LT4-18所示,已知各管β值都为100,V_BE（on)都为0.7V.（1)说明T₃、T₄管

的作用.(2)求I_CQ1、I_CQ2.(3)求差模增益A_td1.

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