题目内容
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[主观题]
电路如图P10.16所示,设,晶体管T的UBE≈UD,R1=1Ω,R2=2Ω,ID>>IB.求解负
电路如图P10.16所示,设,晶体管T的UBE≈UD,R1=1Ω,R2=2Ω,ID>>IB.求解负载电流IL与I0的关系式.
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电路如图P10.16所示,设,晶体管T的UBE≈UD,R1=1Ω,R2=2Ω,ID>>IB.求解负载电流IL与I0的关系式.
绘出vo(t)的波形。使用恒压降模型(VD=0.7 V),设二极管是理想的。
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0~5ms的时间间隔内,试绘出vo(t)的波形,设二极管是理想的。
开的瞬间,电压表两端的电压。
测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.
(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的原理是什么?
(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.
在图NPS4-7(a)所示三极管混频原理电路中,若设输出中频频率fI=1MHz,输入信号,本振电压,晶体管T选用Q2N2222。(1) 选择L和C值,使输出振荡回路谐振在1MHz上,回路上并接10kΩ的电阻。(2)测试并记录输出电压VΩ的峰—峰值。(3)进行频谱分析,分别记录1MHz、2MHz、3MHz频率的谱线值。
端的电压波形如图P5,19(b)中所示。设触发器的初始状态为Q=0。