题目内容
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[主观题]
一种简单的D锁存器晶体管级电路如图题5.3.2所示,试列出该电路的功能表。这种电路广泛用于CMOS静
态随机存储器(SRAM)中作为基本存储单元。
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画出图P5.1(a)中SR锁存器Q和Q'端的电压波形。输入端S和R的电压波形如图P5.1(b)所示。
何作用:(2)恒流源在电路中起何作用;(3)电路中引入了D1,D2作为过载保护,试说明其理由。
压增益Ao=∞,试画出比较器的传输特性;(2)若在同相输入端与地之间接上一参考电压VREF= -5V,重画(1)问的内容。
电路如图题9.8.1所示,A1为理想运放,C2为比较器,二极管D也是理想器件,试求:(1)当v1=1V时,v0=?(2)当v1=3V时,v0=?(3)当v1=5sinwt(V)时,试画出v1、v02和v0的波形。
测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.
(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的原理是什么?
(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.