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[主观题]

晶体管放大电路如图15.16(a)所示,已知UCC=12V,RC=3kΩ,RB=240kΩ,晶体管的β=40。(1)试用直流通路估算各静态值I

晶体管放大电路如图15.16(a)所示,已知UCC=12V,RC=3kΩ,RB=240kΩ,晶体管的β=40。(1)试用直流通路估算各静态值IB,IC,UCE;(2)如晶体管的输出特性如图15.16(b)所示,试用图解法作放大电路的静态工作点;(3)在静态时(ui=0)C1和C2上的电压各为多少?并标出极性。

晶体管放大电路如图15.16(a)所示,已知UCC=12V,RC=3kΩ,RB=240kΩ,晶体管的

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第1题
用万用表的直流电压挡测得晶体管各电极对地电位分别如图1.4.9所示。试分别判断这些晶体管处于何种
工作状态(饱和、截止、放大、反向或损坏)。

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第2题
下图示放大电路中,已知晶体管的β=100,rbb'=300Ω,UBE=0.7V,

放大电路如图,已知三极管β=100, rbb′=200Ω,UBEQ=0.7V,求源电压增益 Aus.

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第3题
测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的

测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.

(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的原理是什么?

(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.

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第4题
电路如图2.3所示,运放的输出电流2mA,晶体管T的电流放大系数,确定电阻R的阻值。

电路如图2.3所示,运放的输出电流2mA,晶体管T的电流放大系数,确定电阻R的阻值。

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第5题
电路如图P10.16所示,设,晶体管T的UBE≈UD,R1=1Ω,R2=2Ω,ID>>IB.求解负

电路如图P10.16所示,设,晶体管T的UBE≈UD,R1=1Ω,R2=2Ω,ID>>IB.求解负载电流IL与I0的关系式.

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第6题
一种简单的D锁存器晶体管级电路如图题5.3.2所示,试列出该电路的功能表。这种电路广泛用于CMOS静
态随机存储器(SRAM)中作为基本存储单元。

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第7题
在图9.15所示放大电路中,已知RC=2kΩ,RE=2kΩ,硅晶体管的β=30,rbe=1kΩ,试画出该放大电路的微变等效电路,推导

在图9.15所示放大电路中,已知RC=2kΩ,RE=2kΩ,硅晶体管的β=30,rbe=1kΩ,试画出该放大电路的微变等效电路,推导出由集电极输出和由发射极输出时的电压放大倍数,求出Ui=1mV时的Uo1和Uo2

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第8题
已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示,试写出的表达式.

已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示,试写出的表达式.

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第9题
基本放大电路如图P3.3(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ.由电路Ⅰ、Ⅱ组成

基本放大电路如图P3.3(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ.由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示,它们均正常工作.试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中

(1)哪些电路的输入电阻较大;

(2)哪些电路的输出电阻较小

(3)哪个电路的电压放大倍数最大.

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第10题
电路如图P2.11所示,晶体管β=100,rbb</sub>=100Ω(1)求电路的Q点、Au</sub>、Ri</sub>,和R0</sub>;(2)若改用β=200的晶体管,则Q点如何变化?(3)若电容Ce</sub>开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?

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第11题
电路如图P1.10所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50.试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T的工
作状态及输出电压u0的值.

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