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[主观题]

电路如图P10.16所示,设,晶体管T的UBE≈UD,R1=1Ω,R2=2Ω,ID>>IB.求解负

电路如图P10.16所示,设电路如图P10.16所示,设,晶体管T的UBE≈UD,R1=1Ω,R2=2Ω,ID>>IB.求解负电,晶体管T的UBE≈UD,R1=1Ω,R2=2Ω,ID>>IB.求解负载电流IL与I0的关系式.

电路如图P10.16所示,设,晶体管T的UBE≈UD,R1=1Ω,R2=2Ω,ID>>IB.求解负电

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第1题
电路如图2.3所示,运放的输出电流2mA,晶体管T的电流放大系数,确定电阻R的阻值。

电路如图2.3所示,运放的输出电流2mA,晶体管T的电流放大系数,确定电阻R的阻值。

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第2题
电路如图P1.10所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50.试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T的工
作状态及输出电压u0的值.

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第3题
一调频电路如图NT5-4所示,试指出它是直接调频电路还是间接调频电路,并标出一、二次线圈的同名端
。已知vΩ(t)=cos(2πX103t)(V).试写出调频波的瞬时频率表达式(晶体管的相移可以忽略)。

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第4题
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0<t<5 ms的时间间隔内,试
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0<t<5 ms的时间间隔内,试

绘出vo(t)的波形。使用恒压降模型(VD=0.7 V),设二极管是理想的。

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第5题
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0~5ms的时间间隔内,试绘出v≇
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0~5ms的时间间隔内,试绘出v≇

二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0~5ms的时间间隔内,试绘出vo(t)的波形,设二极管是理想的。

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第6题
电路如图4-3(a)所示,已知:U=20V,R=1kΩ,L=1H,电压表内阻RV=500kΩ,设开关S在t=0时打开,求S打
电路如图4-3(a)所示,已知:U=20V,R=1kΩ,L=1H,电压表内阻RV=500kΩ,设开关S在t=0时打开,求S打

开的瞬间,电压表两端的电压。

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第7题
测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的

测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.

(1)电路中引入了哪种反馈?测试晶体管穿透电流的原理是什么?

(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.

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第8题
在图NPS4-7(a)所示三极管混频原理电路中,若设输出中频频率fI=1MHz,输入信号,本振电压,晶体
在图NPS4-7(a)所示三极管混频原理电路中,若设输出中频频率fI=1MHz,输入信号,本振电压,晶体

在图NPS4-7(a)所示三极管混频原理电路中,若设输出中频频率fI=1MHz,输入信号,本振电压,晶体管T选用Q2N2222。(1) 选择L和C值,使输出振荡回路谐振在1MHz上,回路上并接10kΩ的电阻。(2)测试并记录输出电压VΩ的峰—峰值。(3)进行频谱分析,分别记录1MHz、2MHz、3MHz频率的谱线值。

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第9题
写出图P5.19(a)电路中触发器次态Q´与现态Q和输入T之间的逻辑函数式,并画出Q端的电压波形。CLK与T
写出图P5.19(a)电路中触发器次态Q´与现态Q和输入T之间的逻辑函数式,并画出Q端的电压波形。CLK与T

端的电压波形如图P5,19(b)中所示。设触发器的初始状态为Q=0。

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第10题
一种简单的D锁存器晶体管级电路如图题5.3.2所示,试列出该电路的功能表。这种电路广泛用于CMOS静
态随机存储器(SRAM)中作为基本存储单元。

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