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[主观题]
试求图NP4-18所示电路的混频损耗Lc，假设各二极管均工作在受vL控制的开关状态，且RD⌘
试求图NP4-18所示电路的混频损耗Lc，假设各二极管均工作在受vL控制的开关状态，且RD<< RL。
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试求图NP4-18所示电路的混频损耗Lc，假设各二极管均工作在受vL控制的开关状态，且RD<< RL。
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试求图NP4-18所示电路的混频损耗Lc，假设各二极管均工作在受vL控制的开关状态，且RD《RL。
图LT6-2所示电路,已知υs1=5mV、υs2=-5mV、υs3=6mV、υs4=-12mV,试求输出电压υ0值.设各集成运放是理想的.
在图LP4-69所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb=50Ω,
试求高频电压传递函数
的表示式.
在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并
求输出交流电阻R0.(补充条件:β=100,|VA|=100VC)
图LP2-18所示为二级放大电路,已知β=100,
(1)试求集电极电流IC1、IC2,集电极电压VC1、VC2;
(2)若RB2改为3kΩ,试指出T1和T2管的工作模式;
(3)若RC2改为5.1kΩ,试求β2(sat)值,并与放大模式下β=100比较.
比较特性υ¿443444¿-υi及迟滞宽度ΔV.
试求图题6.3.1所示电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的下限频率fL。已知
，BJT的
。
度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
在图LT6-15所示电路中,已知VIO≈3mV,IIO=20x10-9A,运放其余参数为理想值,试求Δυ0值.
试求I3。
