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[主观题]

来料晶圆厚度大于250μm的晶圆可以上机减薄。()

来料晶圆厚度大于250μm的晶圆可以上机减薄。（)

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第1题

减薄的任务是严格按照工艺规范和《晶圆管制卡》的指令将来料晶圆片加工到工艺规定的厚度范围。（)

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第2题

晶圆上机前，核对确认晶圆刻号与条码信息一致，倾斜晶圆，在灯光下0°~45°范围内缓慢晃动晶圆，目检确认晶圆外观，无外观缺陷后上机。（)

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第3题

造成晶圆表面划伤的原因有（)。

A.来料划伤

B.传递过程蹭伤

C.更换晶圆划伤

D.二次加工划伤

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第4题

来料晶圆表面有杂质颗粒时,使用气枪吹,气枪口距离晶圆至少15㎝。（)

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第5题

产品上机前作业员核对流程卡上（);与实际晶圆的晶圆批号;标注工单号一致。

A.工单号

B.晶圆批号

C.片号

D.委工单号

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第6题

晶圆厚度≤200μm的易背崩且划道内存在铝垫产品划片时选用（)模式切割

A.DAD3350单轴切割

B.DAD321单轴切割

C.双轴STEP切割模式

D.双轴DUAL

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第7题

来料产品要求盲封的,检验时需将晶圆边缘光刻不足芯片剔除。()

来料产品要求盲封的,检验时需将晶圆边缘光刻不足芯片剔除。（)

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第8题

用户来料晶圆无中测、无打点,用户没有特殊要求,将边缘钝化层不良、光刻不足等不良品剔除后正常流通。()

用户来料晶圆无中测、无打点,用户没有特殊要求,将边缘钝化层不良、光刻不足等不良品剔除后正常流通。（)

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第9题

以下（)会造成上芯过程中混批。

A.产品收尾时未将产品清理干净

B.抽检后产品归位放错或是卡物分离造成混批

C.晶圆上机前未核对批号，造成晶圆混料

D.产品在传递，烘烤过程前后将流程卡放错造成混批

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第10题

正常情况下,全自动划片机加工厚度为480um的晶圆时,Z1轴使用的刀片型号是（)。

A.SD3500-CC

B.SD3000-BB

C.SD3500-DD

D.DDC-A02-D3

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