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[主观题]

当硅中掺杂以施主杂质(v族元素：磷、砷、锑等)为主时，以（）导电为主，成为N型硅；当硅中掺杂以受主杂质(Ⅲ族元素：硼、铝、镓等)为主时，以（）导电为主，成为P型硅。

当硅中掺杂以施主杂质（v族元素：磷、砷、锑等)为主时，以（）导电为主，成为N型硅；当硅中掺杂以受主杂质（Ⅲ族元素：硼、铝、镓等)为主时，以（）导电为主，成为P型硅。

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第1题

半导体硅常用的施主杂质是（)。

A.锡

B.硫

C.硼

D.磷

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第2题

以下关于杂质的描述正确的是()。

A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用

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第3题

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10¹⁵cm^-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第4题

直拉硅单晶的氧杂质在低温热处理时，会产生施主效应，使得N型硅晶体的电阻率下降，P型硅晶体的电

阻率上升。施主效应严重时，能使P型硅晶体转化为N型，这就是氧的施主效应。氧的施主效应可以分为两种情况，有不同的性质，一种是在350～500℃左右温度范围生成的，称为（）；一种是在550～800℃左右温度范围形成的，称为（）。

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第5题

计算施主杂质浓度分别为10¹⁶cm^-3，10¹⁸cm^-3, 10¹⁹cm^-3的硅在室温下的费米能级，并假定杂质是全部电离，再用算出的的费米能级核对一下，上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时，取施主能级在导带底下的面的0.05eV。

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第6题

实际上，半导体中通常同时含有施主和受主杂质，当施主数量大于受主时，半导体是n型的;反之，当受主数量大于施主时，则是p型的。（)

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第7题

在N型半导体中掺入微量的（)等元素，在半导体中就会产生许多带负电的电子。

A.锑、磷、砷

B.锑、铝、砷

C.铟、磷、砷

D.锑、镓、砷

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第8题

在钢材所含化学元素中，均未有害杂质的一组是（)

A.碳硅磷

B.硫磷锰

C.硫氧氮

D.碳锰矾

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第9题

下列哪种元素通常属于钢杂质元素中的有害元素（)。

A.铁

B.硅

C.锰

D.P

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第10题

矿石中造成钢铁脆性的有害元素是（)。

A. 氟

B. 硅

C. 磷

D. 碳

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第11题

钢的质量好坏一般是以钢中的有害杂质（)含量的多少来确定的。通常分为三个级别：普通钢、优质钢和高级优质钢。

A.氧、氢

B.硅、锰

C.氮、氧

D.硫、磷

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