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[主观题]

计算施主杂质浓度分别为1016cm-3,1018cm-3, 1019cm-3的硅在室温下的费米能级,并假定杂质是全部电离,再用算出的的费米能级核对一下,上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时,取施主能级在导带底下的面的0.05eV。

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第1题
若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV,施主杂质浓度分别为1014cm-3及1017cm-3,计算(1)99%电离,(2)90%电离,(3)50%电离时温度各为多少?

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第2题
在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第3题
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?()

A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差

B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体

C.通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体

D.通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体

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第4题
以下关于杂质的描述正确的是()。
A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场,引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用

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第5题
试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少?

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第6题
①在室温下,锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm卐

①在室温下,锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-3,试求锗的载流子有效质量mn+,mp+计算77K时的NC和NV。已知300K时,Eg=0. 67eV。77k时Eg=0. 76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77K时,锗的电子浓度为1017cm-3,假定受主浓度为零,而EC-ED=0. 01eV,求锗中施主浓度ED多少?

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第7题
三极管的发射区面积大,杂质浓度高,多数载流子数量多。()
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第8题
单边突变结的()主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.内建电势

B.耗尽区宽度

C.最大电场

D.势垒高度

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第9题
当扩散电阻的表面杂质浓度增加时,压阻系数()。

A.增加

B.减小

C.不变

D.不定

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