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[单选题]

当扩散电阻的表面杂质浓度增加时,压阻系数()。

A.增加

B.减小

C.不变

D.不定

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第1题
当接触温度升高时,由于表面()作用加强,接触热阻相应变小

A.导热

B.对流

C.辐射

D.导热系数增加

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第2题
二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。

A.降低

B.增加

C.不变

D.先降低后增加

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第3题
扩散硅压阻片的测压原理是半导体的电阻变化率与被测压力()。

A.成正比

B.成反比

C.成线性关系

D.成一定的函数关系

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第4题
采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件,在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺,在单晶硅的特定方向扩散一组()电阻,并将电阻接成桥路。

A.不等值

B.等值

C.线性值

D.非线性值

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第5题
用来制作压阻式电阻传感器的半导体材料的压阻系数的影响因素不包括()。

A.掺入杂物的浓度

B.温度

C.材料的体积

D.材料的晶相

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第6题
下列关于半导体应变片的说法错误的是()。

A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率P发生变化的现象

B.半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接

C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好

D.半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片

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第7题
下列()变送器是将电阻应变片粘合集体上,当机体受力变化,电阻应变片产生变形使阻值改变,导致加在电阻上的电压发生变化

A.应变式

B.压电式

C.压阻式

D.电容式

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第8题
下列关于升阻比的哪种说法是措误的()。

A.升力系数达到最大时,升阻比也选到最大

B.升力和阻力之比升阻比达到最大之前,随迎角增加

C.升阻比成线性增加

D.升阻比也称为气动效率系数

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第9题
金属导体在外力作用下发生机械变形时,其电阻值也会随之发生变化的现象称为()。

A.压阻效应

B.弹性效应

C.电阻效应

D.应变效应

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第10题
扩散硅式差压变送器的检测元件采用扩散硅压阻传感器,结构分测量和放大转换两大部分。()
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