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[主观题]

电路参数如图题5.7.9所示。设FET的参数为g_m=0.8mS，r_ds=200千欧;T₂的β=40，r_be=1

千欧。试求该放大电路的电压增益A_e和输入电阻Ri。

电路参数如图题5.7.9所示。设FET的参数为gm=0.8mS，rds=200千欧;T2的β=40，

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第1题

FET恒流源电路如图题4.8.9所示。设已知管子的参数g_m、r_ds，且μ=g_mr_ds。试证明AB两

端的小信号电阻r_An。

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第2题

电路如图题5.7.5所示，设FET的互导为g_m，r_dn很大;B_JT的电流放大系数为β，输入电阻为r

_br。(1)画出该电路的小信号等效电路;(2)说明T₁，T₂各组成什么组态;(3)求该电路的电压增益A_P，输入电阻R_i及输出电阻R₀的表达式。

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第3题

电路如图题4.6.3所示，设场效应管的参数为g_m1=1mS，g_m2=0.2mS，且满足g_m1＜r_de2，

试求a_e=v₀，p=v_i。

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第4题

放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻R_s1=0，BJT的型号为2N3904，β=100，电路其他参数：R_e⌘

放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻R_s1=0，BJT的型号为2N3904，β=100，电路其他参数：R_e=3.3千欧，R_e=1.3千欧，R_b1=33千欧，R_b2=10千欧，R_L=5.1千欧，C_b1=C_b2=10μF，C_e=50μ_F，V_CC=12V。试求：集电结电容C_b在1~10p_F之间变化时，上限频率fH的变化范围。

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第5题

电路如图题7.1.1所示，I_REF=I₁=1mA， NMOS管的参数为：V_TN=1V，K_n=50μA/V²

电路如图题7.1.1所示，I_REF=I₁=1mA， NMOS管的参数为：V_TN=1V，K_n=50μA/V²，λ_n=0。PMOS管的参数为：V_TP= -1V，K_P=25μA/V，λ_P=0，设全部管子均运行于饱和区，试求R、I₃和I₄的值。各管的W/L值见图示。

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第6题

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET？

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流i_D的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET？

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第7题

二极管电路如图题3.4.8a所示，设输入电压v_1(t)波形如图b所示，在0~5ms的时间间隔内，试绘出v≇

二极管电路如图题3.4.8a所示，设输入电压v_1（t)波形如图b所示，在0~5ms的时间间隔内，试绘出v≇

二极管电路如图题3.4.8a所示，设输入电压v_1(t)波形如图b所示，在0~5ms的时间间隔内，试绘出v_o(t)的波形，设二极管是理想的。

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第8题

微分电路如图题2.4.11a所示,输入电压v1如图题2.4.11b所示,设电路R=10kΩ,C=100μF,设运放是理想

的,试画出输出电压v₀的波形,并标出v₀的幅值。

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第9题

设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示的电路，图中V_CC=15V，R_e=1.5千欧，i

n=20μA，求该器件的Q点。

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第10题

在如图题2-10所示电路中，β=100，其他参数如图所示。(1)求静态工作点I_BQ、I_CQ、I_CEQ。(2

在如图题2-10所示电路中，β=100，其他参数如图所示。（1)求静态工作点I_BQ、I_CQ、I_CEQ。（2

在如图题2-10所示电路中，β=100，其他参数如图所示。

(1)求静态工作点I_BQ、I_CQ、I_CEQ。

(2)画出中频微变等效电路。

(3)求电压放大倍数。

(4)求输入电阻r_i和输出电阻r_o。

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