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[主观题]

电路如图题5.7.5所示,设FET的互导为gm,rdn很大;BJT的电流放大系数为β,输入电阻为r

br。(1)画出该电路的小信号等效电路;(2)说明T1,T2各组成什么组态;(3)求该电路的电压增益AP,输入电阻Ri及输出电阻R0的表达式。

电路如图题5.7.5所示,设FET的互导为gm,rdn很大;BJT的电流放大系数为β,输入电阻为rb

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第1题
电路参数如图题5.7.9所示。设FET的参数为gm=0.8mS,rds=200千欧;T2的β=40,rbe=1
千欧。试求该放大电路的电压增益Ae和输入电阻Ri。

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第2题
FET恒流源电路如图题4.8.9所示。设已知管子的参数gm、rds,且μ=gmrds。试证明AB两
端的小信号电阻rAn

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第3题
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0~5ms的时间间隔内,试绘出v≇
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二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0~5ms的时间间隔内,试绘出vo(t)的波形,设二极管是理想的。

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第4题
设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示的电路,图中VCC=15V,Re=1.5千欧,i
n=20μA,求该器件的Q点。

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第5题
四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?

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第6题
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av

(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

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第7题
电路如图题5.5.3所示,设β=100,Rsi=2千欧,试求:(1)Q点;(2)输入电阻Ri;(3)电压增益Aes
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1=v01/vN和Aes2=v02/vN;(4)输出电阻R01和R02

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第8题
高通电路如图题10.3.7所示。已知Q=1,试求其幅频响应的峰值,以及峰值所对应的角频率。设we=2π
x200rad/s。

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第9题
电路如图题2.1.1所示,运放的设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=
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电路如图题2.1.1所示,运放的设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=100μV,试求输出电压v0=?实际上v0应为多少?(2)设Vom=±11V,画出它的传输特性。

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第10题
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0<t<5 ms的时间间隔内,试
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绘出vo(t)的波形。使用恒压降模型(VD=0.7 V),设二极管是理想的。

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