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第2题
IGBT器件的开通速度比晶闸管器件的开通速度快。（)
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第3题
IGBT为MOSFET与GTR组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。（)
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第4题
采用的开关器件通常有（)和绝缘栅双极性晶体管（IGBT)等。
A.功率晶体管(GTR)
B.普通晶闸管(SCR)
C.可关断晶闸管(GTO)
D.功率场效应管(MOSFET)
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第5题
开关电源中常用的功率开关器件主要有()。
开关电源中常用的功率开关器件主要有（)。
A、双极型晶体管BJT
B、快速晶闸管SCR
C、场效应管MOSFET
D、绝缘栅双极性晶体管IGBT
第6题
IGBT的开关特性表明，关断波形存在电流拖尾的现象。（)
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第7题
下列半导体器件中属于电流控制型的是哪一个器件（)
A.GTR
B.P-MOSFET
C.IGBT
D.SR
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第8题
绝缘栅双极晶体管（IGBT)是哪些器件相结合的产物？
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第9题
下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（)
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