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第1题
以下属于IGBT的特点的是（)。
A.耐压高，电流容量大
B.电压控制型器件
C.关断速度比MOSFET慢
D.电流控制型器件
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第2题
下列半导体器件中属于电流控制型的是哪一个器件（)
A.GTR
B.P-MOSFET
C.IGBT
D.SR
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第3题
IGBT为MOSFET与GTR组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。（)
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第4题
IGBT属于电压控制还是电流控制型元件？
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第6题
下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（)
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第7题
下列半导体器件中属于电压型控制型的器件的是哪一个（)
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第8题
双极型半导体三极管是一种（)半导体器件。
A.电压控制的
B.电流控制的
C.既是电压又是电流控制的
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第9题
IGBT属于一种具有MOSFET（)中、大功率器件。
A.高速性能的
B.高效率的
C.双极的
D.低电阻性能的
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第11题
IGBT器件的开通速度比晶闸管器件的开通速度快。（)
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