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[单选题]

构成高速缓存的半导体存储器是()

A.SRAM

B.EPROM

C.闪存

D.DRAM

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第1题
RAM指是:()。

A.随机存储器

B.软盘存储器

C.只读存储器

D.高速缓存器

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第2题
下列半导体存储器中,基于FLASH芯片的是()。

A.RAM

B.DRAM

C.SRAM

D.RAMNon-volatile

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第3题
叙述半导体存储器主要类型及各自的特点。

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第4题
MOS半导体存储器中,()的外围电路简单,速度(),但其使用的器件多,集成度不高。
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第5题
半导体存储器按存取方式不同,可分为____________和____________两类。

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第6题
已知某64位机主存采用半导体存储器,其地址码为26位,若使用4M×8位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间,并选用内存条结构形式,问: (1)每个内存条内共有多少DRAM芯片? (2)主存共需多少DRAM芯片?
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第7题
热电偶是由两种不同的金属导体或半导体()成一个()构成的。这两根导体或半导体称为热电极。
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第8题
热电偶是由两根()的导体或半导体的一端焊接或绞接构成的。
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第9题
混合集成电路是由半导体集成电路,膜集成电路和分离元件中()构成的集成电路。

A.至少一种

B.至少两种

C.至少三种

D.至少四种

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第10题
关于N型半导体的下列说法,正确的是()。

A.只存在一种载流子:自由电子

B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成

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第11题
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。()
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