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[主观题]

MOS半导体存储器中,()的外围电路简单,速度(),但其使用的器件多,集成度不高。

MOS半导体存储器中,()的外围电路简单,速度(),但其使用的器件多,集成度不高。

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第1题
固体半导体摄像元件CCD是一种()。

A.PN结光电二极管电路

B.PNP型晶体管集成电路

C.MOS型电容阵列

D.NPN型晶体管集成电路

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第2题
MCU(MicroControllerUnit)微控制器阶段的技术发展路线是()。

A.将CPU、存储器(RAM和ROM)、多种I/O接口等集成在一片芯片上,形成芯片级计算机

B.包含了数字处理的全部功能,接入部分外围附加芯片,即构成完整的微型计算机

C.满足嵌入式系统所要求的各种外围电路与接口电路

D.对嵌入式系统进行智能化控制

E.不断扩展满足嵌入式应用

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第3题
以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。

A.不考虑Si-SiO2界面的结构

B.不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C.金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D.都正确

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第4题
半导体三极管的输入、输出电阻都是非线性的。对于非线性电阻的电路,其电路模型可用一个理想电阻来简单表示。()
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第5题
下列半导体存储器中,基于FLASH芯片的是()。

A.RAM

B.DRAM

C.SRAM

D.RAMNon-volatile

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第6题
动态MOS存储单元存储信息的原理是利用栅极具有()的作用.半导体RAM的典型结构由三部分组成:()、()和().

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第7题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

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第8题
n沟增强型MOS管在栅压为零时,由于氧化层中正电荷的作用,半导体表面为()状态,开启电压为()。

A.积累,正值

B.耗尽,正值

C.积累,负值

D.耗尽,负值

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第9题
由555定时器构成的单稳态电路中,给定外围的定时元器件R=1KΩ,C=0.1uF,则暂稳态的持续时间是()毫秒。

A.1

B.0.1

C.0.11

D.0.07

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第10题
集成电路中,主要包括______,______和半导体元件。电路元件具有良好的______和______。

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第11题
晶闸管整流电路中过电流的保护装置是快速熔断器,是专供保护半导体元件用的。()
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