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[主观题]
电荷以体密度p=p（1-r/R)分布在半径为R的球内，其中为常量，r为球内某点与球心的距离。求：（1)球内
电荷以体密度p=p(1-r/R)分布在半径为R的球内，其中
为常量，r为球内某点与球心的距离。求：
(1)球内外的场强(以r代表从球到场点的矢量)。
(2)r为多大时场强最大？该点场强Emax=？
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电荷以体密度p=p(1-r/R)分布在半径为R的球内，其中为常量，r为球内某点与球心的距离。求：
(1)球内外的场强(以r代表从球到场点的矢量)。
(2)r为多大时场强最大？该点场强Emax=？
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更多“电荷以体密度p=p（1-r/R)分布在半径为R的球内，其中为…”相关的问题
如题5-17图所示，设在半径为R的球体内，其电荷为球对称分布，电荷体密度为
k为一常量.试分别用高斯定理和电场叠加原理求电场强度E与r的函数关系。
电线电荷线密度为n，求：
(1) 垂足O点的电荷面密度：
(2)平面上距O为r的点P的感生电荷面密度。
进行重复独立实验，设每次成功的概率为p，失败的概率为q=1-p(0＜p＜1)。
(1)将实验进行到出现一次成功为止，以X表示所需的试验次数，求X的分布律。(此时称X服从以p为参数的几何分布。)
(2)将实验进行到出现r次成功为止，以Y表示所需的试验次数，求Y的分布律。(此时称Y服从以r，p为参数的巴斯卡分布。)
(3)一篮球运动员的投篮命中率为45%，以X表示他首次投中时累计已投篮的次数，写出X的分布律，并计算X取偶数的概率。
A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系
B.对于 n 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层
C.对于 p 型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层
D.对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层
E.对于p 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层
