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[单选题]

关于多晶硅和非晶硅电池,以下说法错误的是()

A.在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。

B.非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。

C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。

D.与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

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第1题
在年日照时数2000小时条件下,每平方米晶硅电池太阳能光伏组件的年发电量(KWh)约为()。

A.150

B.200

C.300

D.500

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第2题
关于结晶,以下说法错误的是()

A.结晶是一种分离纯化手段

B.结晶过程是由溶解度决定的

C.结晶未必能得到室温下最稳定的晶型

D.结晶可能得到多种晶型的产品

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第3题
目前太阳能电池技术最成熟的是()。

A.多元化合物

B.非晶硅太阳能电池

C.硅太阳能电池

D.聚光太阳能电池

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第4题
太阳电池主要有();()、非晶硅太阳电池、碲化镉太阳电池、与铜铟硒太阳电池5种类型
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第5题
太阳能电池材料的种类有()。

A.晶体硅

B.非晶硅

C.化合物

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第6题
多晶硅单质硅的一种形态,是生产单晶硅的直接原料。()
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第7题
目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法(改良西门子法)和()两种方法。
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第8题
在结晶系中,多晶硅电池片的厚度为()角,单晶硅电池片的厚度为()角。
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第9题
硅集成电路工艺中,通常采用多晶硅作为掩膜进行选择性扩散。()
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第10题
非晶硅太阳能电池中,进行光电转化的是什么层()。

A.I层

B.P层

C.N层

D.P-I-N层

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第11题
关于“光注入”,以下说法错误的是:()。

A.只要用光照射半导体材料,就可以产生非平衡载流子

B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度

C.非平衡电子和空穴成对产生

D.受到入射能量的激发,价带电子跃迁到导带,产生非平衡载流子

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