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硅集成电路工艺中,通常采用多晶硅作为掩膜进行选择性扩散。()

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第1题
关于多晶硅和非晶硅电池,以下说法错误的是()

A.在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。

B.非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。

C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。

D.与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

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第2题
AT89S51单片机采用的内部程序存储器的类型是()。

A.EPROM

B.FIash

C.SFR

D.掩膜ROM

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第3题
多晶硅单质硅的一种形态,是生产单晶硅的直接原料。()
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第4题
试样中SiO2含量的测定,通常采用______和______两种方法,对硅含量低的试样可采用______。

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第5题
目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法(改良西门子法)和()两种方法。
目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法(改良西门子法)和()两种方法。

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第6题
图文制作工艺中,通常把文字、图形和图像称作为页面元素。()
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第7题
第二代计算机采用()作为逻辑器件。

A.电子管

B.晶体管

C.集成电路

D.大规模、超大规模集成电路

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第8题
晶体硅太阳电池表面梳状电极一般选用()做为材料,背电极的材料一般为镍锡合金,但在丝网印刷工艺中,背电极一般采用银铝合金混合粉末为电极材料,以增强焊接性并形成背电极的欧姆接触。
晶体硅太阳电池表面梳状电极一般选用()做为材料,背电极的材料一般为镍锡合金,但在丝网印刷工艺中,背电极一般采用银铝合金混合粉末为电极材料,以增强焊接性并形成背电极的欧姆接触。

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第9题
采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件,在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺,在单晶硅的特定方向扩散一组()电阻,并将电阻接成桥路。

A.不等值

B.等值

C.线性值

D.非线性值

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第10题
混合集成电路是由半导体集成电路,膜集成电路和分离元件中()构成的集成电路。

A.至少一种

B.至少两种

C.至少三种

D.至少四种

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