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[单选题]

某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,根据半导体高温端Vs的正负可以判断半导体的类型,这是根据什么原理实现的?()

A.塞贝克效应

B.珀耳帖效应

C.汤姆逊效应

D.霍耳效应

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第1题
某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为正,则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】
某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为正,则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】

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第2题
对于实际的MIS结构,哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线,使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移?()

A.金属和半导体之间存在功函数差

B.绝缘层中存在电荷

C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态

D.外加偏压

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第3题
某用户家里宽带上网出现故障,在维修时发现在用户家门口连接终端可正常上网,那么()。

A.用户家里可能存在放大器

B.机顶盒产生了影响

C.用户盒产生了影响

D.以上都是

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第4题
在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第5题
温度升高时,半导体热敏电阻的阻值(),金属电阻值()。
温度升高时,半导体热敏电阻的阻值(),金属电阻值()。

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第6题
电缆表皮温度测量时,热极半导体点温计为()min。
电缆表皮温度测量时,热极半导体点温计为()min。

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第7题
在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

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第8题
下列关于霍尔元件的叙述,正确的有()。

A.制作霍尔元件时多采用N型半导体材料

B.减小霍尔元件的厚度,可以提高其灵敏度

C.如果霍尔片两端的电压为E,那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值

D.金属可用于制作霍尔元件

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第9题
关于N型半导体的下列说法,正确的是()。

A.只存在一种载流子:自由电子

B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成

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第10题
在异质结的界面处引入界面态的主要原因是?()

A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配

B.由于两种材料热膨胀系数不同,在高温下引入界面态

C.化合物半导体构成的异质结中,由于成分元素的互扩散,引入界面态

D.半导体材料的表面吸附

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