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更多“试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？”相关的问题
第1题
①在室温下，锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm卐
①在室温下，锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-3，试求锗的载流子有效质量mn+，mp+计算77K时的NC和NV。已知300K时，Eg=0. 67eV。77k时Eg=0. 76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77K时，锗的电子浓度为1017cm-3，假定受主浓度为零，而EC-ED=0. 01eV，求锗中施主浓度ED多少？
第2题
下列关于能带结构的说法中，错误的是（)。
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
第3题
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE（on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室
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温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
第4题
在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE(on)=0.7 V，ICBO=10-15A，试求温
在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE（on)=0.7 V，ICBO=10-15A，试求温
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度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
第5题
计算施主杂质浓度分别为1016cm-3，1018cm-3, 1019cm-3的硅在室温下的费米能级，并假定杂质是全部电离，再用算出的的费米能级核对一下，上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时，取施主能级在导带底下的面的0.05eV。
第6题
当NO2被冷却到室温时,发生聚合反应:2NO2(g)→N2O4(g)若在高温下将15.2gNO2
当NO2被冷却到室温时,发生聚合反应:2NO2（g)→N2O4（g)若在高温下将15.2gNO2
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当NO2被冷却到室温时,发生聚合反应:
2NO2(g)→N2O4(g)
若在高温下将15.2gNO2充入10.0L的容器中,然后使其冷却到25℃.测得总压为0.500atm.
试计算NO2(g)和N2O4(g)的摩尔分数的关系即可求解.
第8题
在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.
第9题
如果（1)硅用铝（3价)、（2)硅用磷（5价)参杂;而（3)锗用铟（3价)、（4)锗用锑（5价)掺杂;则分别获得半导体属于下述类型正确的是（)。
A.(1)(2)均为n型半导体;(3)(4)均为p型半导体
B.(1)(3)均为n型半导体;(2)(4)均为p型半导体
C.(1)(3)均为p型半导体;(2)(4)均为n型半导体
D.(1)(2)均为p型半导体;(3)(4)均为n型半导体
第10题
图8.12（教材8.01)所示电路中的UA=0V，UB=1V，试求下述情况下输出端的电压UF。（1)二极
图8.12(教材8.01)所示电路中的UA=0V，UB=1V，试求下述情况下输出端的电压UF。
(1)二极管为理想二极管;
(2)二极管为锗二极管;
(3)二极管为硅二极管。
