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[判断题]

在大于200倍的显微镜下观察，芯片背面出现顶针的痕迹为不良。（)

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更多“在大于200倍的显微镜下观察，芯片背面出现顶针的痕迹为不良。…”相关的问题

第1题

显微镜观察表明，弯曲背面细胞分裂速度快、数量多。（)

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第2题

照《集成电路生产控制计划》规定的品种和抽样方式抽样在45倍显微镜下检查产品的正面、背面，看产品是否有（)。

A.印字偏移

B.断字

C.裂纹

D.断脚

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第3题

在测量显微镜下，推晶完的芯片，对于每种尺寸的bump,在（)下选择3个锡残留尺寸最小的，在（)及以上的镜头下测量其残留痕迹的最小尺寸。

A.0-45X

B.50-100X

C.200X

D.500X

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第4题

背面破损：背崩高度Z大于（)芯片厚度

A.2/3

B.1/3

C.3/4

D.1/2

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第5题

因客户换卡、销户或撤销卡，柜员应当场剪卡，以下做法正确的是（)。

A.即磁条卡沿卡背面左上角磁条下沿且与水平不大于45度角方向进行剪切处理

B.IC卡沿靠近芯片的卡片一侧边缘，穿过芯片中心和磁条

C.在磁条、芯片上打洞作废并复印

D.将废卡随当日原始凭证上缴会计稽核

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第6题

通常,在显微镜下观察的显微标本都是用切片方法制成的。（)

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第7题

病毒感染导致的细胞损伤CPE，在光学显微镜下观察，会发生：细胞圆缩、肿大或细胞聚合等现象。（)

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第8题

在显微镜下观察草履虫时，如果看不清纤毛，应（）

A.缩小光圈

B.增大光圈

C.移动装片

D.使用凹面反光镜

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第9题

为了在显微镜下观察纤维截面形态，首先要沿纤维的长度方向制作纤维切片。（)

此题为判断题(对，错)。

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第10题

推晶后，在50~200X显微镜下观察，确保bump()在框架上。

推晶后，在50~200X显微镜下观察，确保bump（)在框架上。

A、0.5

B、1

C、不在

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