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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

背面破损：背崩高度Z大于（)芯片厚度

A.2/3

B.1/3

C.3/4

D.1/2

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第1题

上芯生产加工过程中已加工芯片只要发现背崩，该芯片报废。（)

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第2题

作业员对卸下的兰膜检查项目有（)。

A.漏粘好芯片

B.顶针印迹偏移

C.背崩

D.粘边缘片

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第3题

上芯后兰膜检查项目有（)。

A.顶针孔位置是否位于芯片中心

B.顶针孔是否有顶破兰膜，造成兰膜缺损

C.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致

D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

E.背金属晶圆是否有背金属脱落现象

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第4题

上芯后兰膜检查项目有哪些（)。

A.顶针孔位置是否位于芯片中心

B.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致

C.顶针孔是否有顶破兰膜，造成兰膜缺损

D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

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第5题

晶圆厚度≤200μm的易背崩且划道内存在铝垫产品划片时选用（)模式切割

A.DAD3350单轴切割

B.DAD321单轴切割

C.双轴STEP切割模式

D.双轴DUAL

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第6题

在大于200倍的显微镜下观察，芯片背面出现顶针的痕迹为不良。（)

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第7题

以下哪些会造成芯片表面粘片胶沾污？（)

A.吸嘴

B.点胶头选择不当

C.机器missingdiedetectsensor出错

D.粘片胶攀爬高度超过芯片厚度

E.渗漏的装片胶溅散到晶圆表面造成沾污

F.三点一线偏移

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第8题

控制Z轴高度的升降器水平面必须非常精确，以计算对应那一层截面切片的厚度。（)

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第9题

台背填料应在最佳含水量的条件下用压路机分层压实，每层厚度不宜大于()。

A.20cm

B.25cm

C.30cm

D.40cm

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第10题

目前，AD828设备在芯片捡拾部位，加装有一路压缩空气吹气装置，其是预防芯片（)的一种有效改善装置。

A.压伤

B.崩单晶

C.沾污

D.以上都不是

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