题目内容
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[主观题]
在半导体、气体或真空中,利用电子或空穴的最小物理实体是()。
在半导体、气体或真空中,利用电子或空穴的最小物理实体是()。
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B、除本征光电导外,光照也能使束缚在杂质能级上的电子或空穴受激电离产生杂质光电导,但杂质光电导与本征光电导相比较是非常小的
C、在实际的半导体材料中,存在有大量的陷阱,光注入的少数载流子基本上全部被陷阱俘获,因此,只有光注入的多数载流子才对光电导有贡献
D、小注入时的光电导为线性光电导
E、大注入时的光电导为抛物线型光电导
F、通常把小注入时的非平衡载流子的寿命称为弛豫时间
G、弛豫时间越长,光电导的灵敏度越高。但弛豫时间越长,对光信号反应越慢。因此,既要灵敏度高,又要反应快,这是矛盾的
A.金属材料电子浓度很高,RH很大,UH很小
B.任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势,但不是都可以制造霍尔元件
C.半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率,所以霍尔元件多采用N型半导体(多电子)
D.厚度d越小,霍尔灵敏度越大,所以霍尔元件做的较薄,通常近似1微米