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B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A . 电流型半导体
B . 电子型半导体
C . 空穴型半导体
D . 电压型半导体
E . 功率型半导体
B、除本征光电导外，光照也能使束缚在杂质能级上的电子或空穴受激电离产生杂质光电导，但杂质光电导与本征光电导相比较是非常小的
C、在实际的半导体材料中，存在有大量的陷阱，光注入的少数载流子基本上全部被陷阱俘获，因此，只有光注入的多数载流子才对光电导有贡献
D、小注入时的光电导为线性光电导
E、大注入时的光电导为抛物线型光电导
F、通常把小注入时的非平衡载流子的寿命称为弛豫时间
G、弛豫时间越长，光电导的灵敏度越高。但弛豫时间越长，对光信号反应越慢。因此，既要灵敏度高，又要反应快，这是矛盾的
A.中心离子和配位体与配位键结合，其中配体的配原子提供孤对电子是电子的供体，中心离子提供容纳孤对电子的空轨道是电子的受体中心离子必须具有适当的空轨道
B.为增加成键能力，中心原子中能量相近的几个空轨道进行杂化，形成相同数目的，或者是能量相等，并且有一定方向性的杂化轨道
C.配离子的空间结构、配位数以及稳定性主要取决于杂化轨道的数目和类型
D.杂化轨道的数目和类型包括外轨型配合物中心原子使用外层的ns、np和nd轨道进行杂化
