题目内容
（请给出正确答案）
A.自由载流子吸收与本征吸收的区别在于：电子从低能态到较高能态的跃迁是在同一能带中进行
B.自由载流子吸收与本征吸收的相同之处在于：仍然遵守能量守恒和动量守恒。自由载流子吸收类似于间接跃迁吸收，电子的跃迁过程中也伴随着吸收或发射一个声子
C.产生自由载流子吸收的光波波长大于本征吸收限 ，所以自由载流子吸收是红外吸收
D.杂质能级上的电子或空穴吸收光子跃迁到导带或价带，称为自由载流子吸收
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A.电子是多数载流子，空穴是少数载流子
B.空穴是多数载流子，电子是少数载流子
C.电荷是多数载流子，空穴是少数载流子
D.空穴是多数载流子，电荷是少数载流子
A.载流子在电场作用下的定向运动
B.载流子的无规则热运动
C.载流子的无规则热运动
D.漂移速度是一个平均值，且是一个有限值
E.电子和空穴的漂移运动方向相反，但形成的漂移电流密度都与电场方向一致
A.低温区，载流子浓度随温度按指数规律变化
B.强电离区，载流子浓度不随温度变化
C.本征激发区，载流子浓度随温度按指数规律变化
D.强电离区，载流子浓度随温度按指数规律变化
E.本征激发区，载流子浓度不随温度变化
F.低温区，载流子浓度不随温度变化
A.迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值
B.迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度
C.电子的迁移率为正
D.电子的迁移率大于空穴的迁移率
E.电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正
F.电子的迁移率小于空穴的迁移率G、电子的迁移率等于空穴的迁移率
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
A.样品非常薄时，非平衡载流子边扩散边复合到达样品另一端
B.样品足够厚时，非平衡载流子从注入面到背光面边扩散边复合，按指数规律衰减
C.样品非常薄时，非平衡载流子在样品内呈线性分布
D.样品非常薄时，非平衡载流子来不及复合就扩散到了样品的另一端
B、除本征光电导外，光照也能使束缚在杂质能级上的电子或空穴受激电离产生杂质光电导，但杂质光电导与本征光电导相比较是非常小的
C、在实际的半导体材料中，存在有大量的陷阱，光注入的少数载流子基本上全部被陷阱俘获，因此，只有光注入的多数载流子才对光电导有贡献
D、小注入时的光电导为线性光电导
E、大注入时的光电导为抛物线型光电导
F、通常把小注入时的非平衡载流子的寿命称为弛豫时间
G、弛豫时间越长，光电导的灵敏度越高。但弛豫时间越长，对光信号反应越慢。因此，既要灵敏度高，又要反应快，这是矛盾的
以下关于外汇储备的说法中错误的是：
A 外汇储备通常是可自由兑换的货币 B 外汇储备是一国国际储备的主要组成部分 C 外汇储备通常由非官方持有 D 外汇储备具有保证对外支付的功能
